SiC kate on õhuke kiht sustseptorile keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) protsessi kaudu. Ränikarbiidmaterjal pakub räni ees mitmeid eeliseid, sealhulgas 10-kordne elektrivälja tugevus, 3-kordne ribavahe, mis tagab materjali kõrge temperatuuri- ja keemilise vastupidavuse, suurepärase kulumiskindluse ja soojusjuhtivuse.
Semicorex pakub kohandatud teenust, aitab teil uuendada komponente, mis kestavad kauem, lühendavad tsükliaegu ja parandavad saagikust.
SiC-kattel on mitmeid ainulaadseid eeliseid
Vastupidavus kõrgele temperatuurile: CVD SiC-ga kaetud sustseptor talub kõrgeid temperatuure kuni 1600 °C ilma märkimisväärse termilise lagunemiseta.
Keemiline vastupidavus: ränikarbiidkate tagab suurepärase vastupidavuse paljudele kemikaalidele, sealhulgas hapetele, leelistele ja orgaanilistele lahustitele.
Kulumiskindlus: SiC-kate tagab materjalile suurepärase kulumiskindluse, muutes selle sobivaks rakendusteks, mis nõuavad suurt kulumist.
Soojusjuhtivus: CVD SiC kate tagab materjali kõrge soojusjuhtivusega, muutes selle sobivaks kasutamiseks kõrge temperatuuriga rakendustes, mis nõuavad tõhusat soojusülekannet.
Kõrge tugevus ja jäikus: ränikarbiidiga kaetud sustseptor tagab materjalile suure tugevuse ja jäikuse, muutes selle sobivaks rakendusteks, mis nõuavad suurt mehaanilist tugevust.
SiC katet kasutatakse erinevates rakendustes
LED-tootmine: CVD SiC-kattega sustseptorit kasutatakse mitmesuguste LED-tüüpide, sealhulgas sinise ja rohelise LED-i, UV-LED-i ja sügav-UV-LED-i tootmisel, kuna see on kõrge soojusjuhtivuse ja keemilise vastupidavuse tõttu.
Mobiilside: CVD SiC kaetud sustseptor on HEMT oluline osa GaN-on-SiC epitaksiaalse protsessi lõpuleviimiseks.
Pooljuhtide töötlemine: CVD SiC-ga kaetud sustseptorit kasutatakse pooljuhtide tööstuses mitmesugusteks rakendusteks, sealhulgas vahvlite töötlemiseks ja epitaksiaalseks kasvatamiseks.
SiC-kattega grafiitkomponendid
Valmistatud Silicon Carbide Coating (SiC) grafiidist, kate kantakse CVD-meetodil kõrge tihedusega grafiidi teatud klassidele, nii et see võib töötada kõrge temperatuuriga ahjus temperatuuril üle 3000 °C inertses atmosfääris ja 2200 °C vaakumis. .
Materjali erilised omadused ja väike mass võimaldavad kiiret kuumenemist, ühtlast temperatuurijaotust ja silmapaistvat juhtimistäpsust.
Semicorex SiC Coatingi materjaliandmed
Tüüpilised omadused |
Ühikud |
Väärtused |
Struktuur |
|
FCC β faas |
Orienteerumine |
murdosa (%) |
111 eelistatud |
Puistetihedus |
g/cm³ |
3.21 |
Kõvadus |
Vickersi kõvadus |
2500 |
Soojusvõimsus |
J kg-1 K-1 |
640 |
Soojuspaisumine 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Youngi moodul |
Gpa (4pt bend, 1300 ℃) |
430 |
Tera suurus |
μm |
2-10 |
Sublimatsiooni temperatuur |
℃ |
2700 |
Üleseksuaalne tugevus |
MPa (RT 4-punktiline) |
415 |
Soojusjuhtivus |
(W/mK) |
300 |
Kokkuvõte CVD SiC-ga kaetud sustseptor on komposiitmaterjal, mis ühendab sustseptori ja ränikarbiidi omadused. Sellel materjalil on ainulaadsed omadused, sealhulgas kõrge temperatuuri- ja kemikaalikindlus, suurepärane kulumiskindlus, kõrge soojusjuhtivus ning kõrge tugevus ja jäikus. Need omadused muudavad selle atraktiivseks materjaliks mitmesuguste kõrge temperatuuriga rakenduste jaoks, sealhulgas pooljuhtide töötlemine, keemiline töötlemine, kuumtöötlus, päikesepatareide tootmine ja LED-tootmine.