SiC-kattega grafiitvahvelsusseptorid

Semicorex SiC-kattega grafiitvahvli sustseptoridon kettakujulised komponendid, mida kasutatakse laialdaselt pöörlevates MOCVD-süsteemides vahvlite toetamiseks ja soojendamiseks. Need võivad hõlbustada ühtlast gaasijaotust ja ühtlast soojusjaotust reaktsioonikambrites, pakkudes optimaalset protsessikeskkonda kvaliteetseks ja tõhusaks epitaksiaalseks kasvuks. Semicorexi SiC-kattega grafiitvahvelsustseptorid sobivad rakendusteks, mis nõuavad suurepärast õhukese kile ühtlust, näiteks GaN-epitaksia safiirsubstraatidel.

Semicorexi SiC-kattega grafiitvahvelsusseptorite omadused

Semicorexi SiC-ga kaetud grafiitvahvli sustseptorid kasutavad oma alusmaterjalina kõrge puhtusastmega grafiiti ja katavad keemilise aursadestamise teel oma alusele ühtlase ja tiheda ränikarbiidkatte. Suurepäraseid tooraineid ja täiustatud tootmistehnoloogiat kasutades on Semicorexi SiC-ga kaetud grafiitvahvli susseptoritel järgmised silmapaistvad omadused.

1. Erakordne termiline stabiilsus

MOCVD-seadmed töötavad tavaliselt temperatuuril üle 1000 ℃, mis seab ranged nõuded sisemiste komponentide toimimisele kõrgel temperatuuril. Semicorexi SiC-kattega grafiitvahvli sustseptorid sobivad hästi nende karmide töötingimustega ja töötavad stabiilselt isegi pikaajalise kõrge temperatuuriga töötamise ajal. Semicorexi SiC-ga kaetud grafiitvahvelsusseptorid, mis ei sisalda kattekihte ega eraldumist, võivad oluliselt kõrvaldada gaasi ja lisandite eraldumise ohu grafiitpõhjast.

2. Tugev korrosioonikindlus

Semicorex SiC-ga kaetud grafiitvahvelsusseptoritel on suurepärane oksüdatsiooni- ja korrosioonikindlus keerulistes kõrge temperatuuri ja tugeva korrosiooni tingimustes. NendeCVD SiC katevõivad märkimisväärselt takistada nende aluse erodeerimist protsessigaaside (nt NH3 ja H2) poolt, minimeerida süsiniku saaste eraldumist ja seeläbi parandada epitaksiaalkilede puhtust.

3. Suurepärane soojusjuhtivus

Semicorexi SiC-ga kaetud grafiitvahvli sustseptoritel on epitaksiaalsete kasvuprotsesside ajal usaldusväärne soojusjuhtimise võime, kuna nende grafiitalustel ja CVD SiC katetel on suurepärane soojusjuhtivus. Need võivad õhukese kile sadestamise protsesside ajal tagada ühtlase soojusjaotuse substraadi vahvlite vahel, mille tulemuseks on kvaliteetsed epitaksiaalsed kihid.