Kodu > Tooted > Ränikarbiidiga kaetud > MOCVD sustseptor > MOCVD kaanetähe plaadiplaat vahvlite epitaksi jaoks
MOCVD kaanetähe plaadiplaat vahvlite epitaksi jaoks

MOCVD kaanetähe plaadiplaat vahvlite epitaksi jaoks

Semicorex on Wafer Epitaxy jaoks mõeldud kvaliteetse MOCVD Cover Star Disc Plate tuntud tootja ja tarnija. Meie toode on spetsiaalselt loodud pooljuhtide tööstuse vajaduste rahuldamiseks, eriti vahvlikiibi epitaksiaalse kihi kasvatamisel. Meie susceptorit kasutatakse MOCVD keskplaadina, hammasratta või rõngakujulise kujundusega. Toode on väga vastupidav kõrgele kuumusele ja korrosioonile, mistõttu on see ideaalne kasutamiseks äärmuslikes keskkondades.

Saada päring

Tootekirjeldus

Meie MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy on suurepärane toode, mis tagab katmise kõikidele pindadele, vältides sellega mahakoorumist. Sellel on kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus, mis tagab stabiilsuse isegi kõrgetel temperatuuridel kuni 1600°C. Toode on valmistatud kõrge puhtusastmega CVD keemilise aurustamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes. Sellel on peente osakestega tihe pind, mis muudab selle väga vastupidavaks hapete, leeliste, soolade ja orgaaniliste reaktiivide korrosioonile.
Meie MOCVD Cover Star Disc Plate for Wafer Epitaxy tagab parima laminaarse gaasivoolu mustri, tagades termilise profiili ühtluse. See hoiab ära saastumise või lisandite difusiooni, tagades vahvlikiibil kvaliteetse epitaksiaalse kasvu. Meie toode on konkurentsivõimelise hinnaga, mis teeb selle kättesaadavaks paljudele klientidele. Me katame paljusid Euroopa ja Ameerika turge ning meie meeskond on pühendunud suurepärase klienditeeninduse ja toe pakkumisele. Püüame saada teie pikaajaliseks partneriks Wafer Epitaxy jaoks kvaliteetse ja usaldusväärse MOCVD Cover Star plaadi pakkumisel.


MOCVD Cover Star Disc Plate parameetrid vahvli epitaksi jaoks

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid

SiC-CVD omadused

Kristalli struktuur

FCC β faas

Tihedus

g/cm³

3.21

Kõvadus

Vickersi kõvadus

2500

Tera suurus

μm

2-10

Keemiline puhtus

%

99.99995

Soojusmahtuvus

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimatsiooni temperatuur

2700

Üleseksuaalne tugevus

MPa (RT 4-punktiline)

415

Youngi moodul

Gpa (4p bend, 1300â)

430

Soojuspaisumine (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Soojusjuhtivus

(W/mK)

300


MOCVD Cover Star Disc Plate omadused vahvlite epitaksi jaoks

- Vältige mahakoorumist ja veenduge, et kõik pinnad oleksid kaetud
Kõrge temperatuuriga oksüdatsioonikindlus: stabiilne kõrgetel temperatuuridel kuni 1600°C
Kõrge puhtusastmega: valmistatud CVD keemilise aur-sadestamise teel kõrgel temperatuuril kloorimise tingimustes.
Korrosioonikindlus: kõrge kõvadus, tihe pind ja peened osakesed.
Korrosioonikindlus: hape, leelis, sool ja orgaanilised reagendid.
- Saavutage parim laminaarse gaasivoolu muster
- Termoprofiili ühtluse garantii
- Vältige saastumist või lisandite levikut




Kuumad sildid: MOCVD Cover Star plaadiplaat Wafer Epitaxy jaoks, Hiina, tootjad, tarnijad, tehas, kohandatud, hulgi, täiustatud, vastupidav

Seotud kategooria

Saada päring

Palun esitage oma päring allolevas vormis. Vastame teile 24 tunni jooksul.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept