Räni karbiidipaadid

Semicorexi räni karbiidipaadid omavad erakordset termilist stabiilsust, võimaldades neil vastu pidada oksüdatsiooni- ja difusiooniprotsesside jaoks vajalikele temperatuuridele. Nende suurepärane termiline šokikindlus vähendab pragunemise või deformatsiooni riski, tagades pikaajalise operatiivse pikaealisuse. Kõrge tihedusega SIC koostis tagab suurepärase mehaanilise tugevuse, säilitades konstruktsiooni terviklikkuse isegi pideva termilise tsükli all. See erakordne resistentsus mehaanilisele stressile vähendab vahvli saastumise ja purunemise tõenäosust, aidates kaasa kõrgemale protsessi saagisele. Lisaks omavad SIC -paadid silmapaistvat keemilist vastupidavust, jäädes inertseks agressiivse protsessigaasi suhtes, mida kasutatakse oksüdatsiooni ja difusiooni etappidel. See omadus takistab soovimatuid reaktsioone, mis võivad kahjustada vahvli puhtust ja tootmise tõhusust.

Räni karbiidipaate kasutatakse peamiselt oksüdatsiooni- ja difusiooniahjudes, kus on oluline täpne kontroll vahvli kokkupuute üle kõrge temperatuuri ja reaktiivse gaasiga. Nad toetavad vahvleid termilise oksüdatsiooni ajal, et kasvatada kvaliteetseid ränidioksiidikihte ja hõlbustada ühtlast dopingut dopandi gaaside kontrollitud kokkupuute kaudu. Lisaks pakuvad need stabiilset platvormi lõõmutamiseks ja muude kõrgete temperatuuridega töötlemiseks, mis nõuavad pikaajalist soojuse kokkupuudet.

Võrreldes traditsiooniliste kvartsi- ja grafiidipaatidega pakuvad räni karbiidipaadid võrreldamatut vastupidavust, pikaealisust ja jõudlust. Nende võime taluda karmi termilist ja keemilist keskkonda, samas saastumise minimeerimiseks muudab nad eelistatud valikuks ülitäpse pooljuhtide tootmiseks. Keskendudes kvaliteedile ja innovatsioonile, pakuvad meie räni karbiidipaadid suurepärase jõudluse, tagades pooljuhtide tootjatele kõrge saagikuse ja tõhusa vahvli töötlemise. Ükskõik, kas täiustatud sõlmetehnoloogiate või pärandi pooljuhtide valmistamise jaoks pakuvad need paadid usaldusväärset lahendust rangete tööstuse nõuete täitmiseks.

(1) Kandes ja kaitse: räni karbiidipaadid kannavad pooljuhtide materjale, näiteks vahvleid läbi sisemiste sulgude või pesade kaudu ning kasutab räni karbiidimaterjalide kõrget temperatuuri ja korrosioonikindlust, et kaitsta vahvleid välise keskkonna eest.

(2) Ühtne kuumutamine: Räni karbiidipaat võimaldab kuumtöötlemisprotsessi ajal ühtlaselt kuumutada vahvleid. See aitab tagada vahvli iga osa temperatuuri ja reaktsioonikiiruse püsimisel kuumtöötluse käigus ühtlased, parandades seeläbi vahvli saaki ja kvaliteeti.

Praegu on kolm peamist tüüpiräni karbiidi keraamikaMaterjalid: reaktsiooni paagutamine, surveta paagutamine ja paagutamine. Enamikus rakendustes on reaktsioon paagutatud räni karbiid sobivam ja kulutõhusam toode. Kristalliseeritud SIC-paadid paagutavad ja töötlevad kõigepealt mitu ühiku osa, seejärel kasutage SI pasta, et ühendada osad kõrgel temperatuuril paadiga, ja lõpuks kandke CVD-SIC kate (umbes 100um). Kuna ümberkristallimine on poorne, kui SIC -kattekihti pole, tutvustab see ka pooljuhtide protsessi. Seda tüüpi CVD-SIC-kattega ümberkristallitud SIC-paadil on kõige pikem tootmisprotsess ja see on väga kallis. Võrreldes SIC-ga kaetud grafiidipaatidega, pole CVD-SIC-ga kaetud ümberkristalliseeritud SIC-paatidel CTE-ebakõlaprobleeme.