SiC rõngad DGS süsteemi jaoks

DGS-süsteemide Semicorexi SiC-rõngad on suurel kiirusel pöörlevate seadmete, näiteks tsentrifugaalkompressorite, südamiku tihenduskomponendid. Rõnga pinnale täpsete hüdrodünaamiliste soonte (näiteks spiraalsoonte) töötlemisel tekitavad need pöörlemise ajal hüdrodünaamilise summutava efekti, moodustades stabiilse, vaid 3-5 mikromeetrise gaasikile, saavutades dünaamilistes tingimustes "kontaktivaba" töö. See toode kasutab suure jõudlusega atmosfäärirõhuga paagutamistränikarbiidi (SSiC) materjal, millel on äärmiselt kõrge kõvadus (2800 kg/mm²), suurepärane soojusjuhtivus (120 W/m.K) ja suurepärane korrosioonikindlus. See säilitab äärmiselt kõrge mõõtmete stabiilsuse ja tasasuse (<0,6 μm) isegi äärmuslikes keskkondades, nagu kõrge rõhk, ülikiire kiirus ja happelised gaasid. Selle täiustatud disainiga, mille tulemuseks on peaaegu nulli hõõrdumine, kasutatakse seda ränikarbiidist rõngaste seeriat laialdaselt nafta- ja gaasitranspordis, naftakeemiatööstuses ja vesiniku kokkusurumisel, vähendades oluliselt süsteemi energiatarbimist, tagades samal ajal kriitiliste üksuste pikaajalise, vähese hooldusvajaduse ja ohutu töö.

Kasutades täiustatud materjaliteadust ja täppistehnoloogiat, tagavad need rõngad kontaktivaba töö, vähendades märkimisväärselt seisakuid ja hoolduskulusid missioonikriitilistes tööstusrakendustes.

1. Kuiva gaasi tihendite põhimõte (DGS)

Kuivgaasitihend on mittekontaktne otsapinnaga mehaaniline tihend, mis kasutab tihendi pindade eraldamiseks õhukest gaasikilet – tavaliselt protsessigaasi ennast või inertset puhvergaasi, näiteks lämmastikku.

Põhimehhanism tugineb hüdrodünaamilisele tõstele. Üks tihendi pind (tavaliselt ränikarbiidi pöörlev rõngas) on söövitatud ülitäpsete mikrosoontega (sageli spiraal-, T- või U-kujuline). Kui võll pöörleb suurel kiirusel, tõmbavad need sooned gaasi sissepoole, suurendades rõhku statsionaarse ja pöörleva külje vahel. See loob stabiilse mikroskoopilise tühimiku (tavaliselt 3–5 mikronit).

Kuna tavalise töö ajal ei puutu näod kunagi füüsiliselt kokku, on hõõrdumine peaaegu välistatud ja kulumine väheneb oluliselt võrreldes traditsiooniliste õliga määritavate tihenditega. Kuid see "kontaktivaba" olek nõuab, et tihendusrõngad oleksid täiesti tasased ja suutma taluda tohutuid tsentrifugaaljõude ja termilisi gradiente, mis tekivad käivitamisel, seiskamisel ja mööduvatel tingimustel.

2. Ränikarbiid (SiC)Parameetrid ja materjali eelised

Kasutame oma DGS-rõngaste valmistamiseks rõhuvaba paagutatud ränikarbiidi (SSiC) ja reaktsiooniseotud ränikarbiidi (RBSiC). SSiC-d eelistatakse üldiselt DGS-i jaoks selle suurepärase keemilise vastupidavuse ja suurema kõvaduse tõttu.

Tehnilised andmed ja materjali omadused

Meie DGS-süsteemi SiC-rõngad on valmistatud nii, et need vastaksid kõige rangematele tööstusstandarditele:

Peamised eelised

Termiline stabiilsus:SiC säilitab oma mehaanilise tugevuse temperatuuril üle 1000 °C, tagades, et rõngas ei kõverduks kiirel gaasilõikamisel tekkiva kuumuse mõjul.

Keemiline inertsus:Meie SiC rõngad, mille pH on vahemikus 0–14, on immuunsed "hapugaasi" (H2S), CO2 ja muude naftakeemia rafineerimisel leiduvate agressiivsete protsessikemikaalide söövitava toime suhtes.

Kõrge elastsusmoodul:SiC jäikus hoiab ära tihendi pinna "koonuse" või deformatsiooni kõrgrõhudiferentsiaalide mõjul (sageli üle 100 baari).

Suurepärane pinnaviimistlus:Saavutame peeglitaolise viimistluse (Ra < 0,05 μm), mis on hüdrodünaamiliste soonte täpse söövitamise jaoks kriitiline.

3. Tööstuslikud rakendused

Meie SiC Rings for DGS System on tihenduslahenduste "süda" erinevates suure panusega sektorites:

Nafta ja gaas (üles-/keskvoolu):Kasutatakse kõrgsurve tsentrifugaalkompressorites maagaasi torujuhtme edastamiseks ja avamere gaasi tagasisissepritsemiseks.

Naftakeemia töötlemine:Oluline etüleeni, ammoniaagi ja metanooli tootmiseks, kus gaasi puhtus ja lekke vältimine on ohutuse seisukohast kriitilise tähtsusega.

Elektritootmine:Kasutatakse auru- ja gaasiturbiinides, et hallata puhvergaase ja vältida ohtlikke heitmeid.

Arenev energia:Üha enam kasutatakse vesiniku (H2) kokkusurumisel, kus vesiniku väike molekuli suurus nõuab tihendi pinna tasasuse suurimat võimalikku täpsust.