Kodu > Tooted > Ränikarbiidiga kaetud > Tünni sustseptor > SiC-kattega sustseptori silinder LPE reaktorikambri jaoks
SiC-kattega sustseptori silinder LPE reaktorikambri jaoks

SiC-kattega sustseptori silinder LPE reaktorikambri jaoks

Semicorexi SiC-kattega sustseptorbarrel LPE reaktorikambri jaoks on ülimalt usaldusväärne lahendus pooljuhtide tootmisprotsesside jaoks, millel on suurepärased soojusjaotuse ja soojusjuhtivuse omadused. Samuti on see väga vastupidav korrosioonile, oksüdatsioonile ja kõrgetele temperatuuridele.

Saada päring

Tootekirjeldus

Semicorexi SiC-kattega sustseptorbarrel LPE reaktorikambri jaoks on esmaklassiline toode, mis on valmistatud kõrgeimate täpsuse ja vastupidavuse standardite kohaselt. See pakub suurepärast soojusjuhtivust, korrosioonikindlust ja sobib suurepäraselt LPE-rakendustega pooljuhtide tootmisel.

Meie SiC-kattega sustseptortünn LPE reaktorikambri jaoks on loodud parima laminaarse gaasivoolu mustri saavutamiseks, tagades termilise profiili ühtluse. See aitab vältida saastumist või lisandite difusiooni, tagades vahvlikiibil kvaliteetse epitaksiaalse kasvu.

Võtke meiega ühendust juba täna, et saada lisateavet meie SiC-kattega sustseptorsilindri kohta LPE reaktorikambri jaoks.


SiC-kattega sustseptori silindri parameetrid LPE reaktorikambri jaoks

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid

SiC-CVD omadused

Kristalli struktuur

FCC β faas

Tihedus

g/cm³

3.21

Kõvadus

Vickersi kõvadus

2500

Tera suurus

μm

2-10

Keemiline puhtus

%

99.99995

Soojusmahtuvus

J·kg-1 ·K-1

640

Sublimatsiooni temperatuur

2700

Üleseksuaalne tugevus

MPa (RT 4-punktiline)

415

Youngi moodul

Gpa (4p bend, 1300â)

430

Soojuspaisumine (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Soojusjuhtivus

(W/mK)

300


SiC-kattega sustseptorsilindri omadused LPE reaktorikambri jaoks

- Nii grafiidist substraadil kui ka ränikarbiidikihil on hea tihedus ja need võivad mängida head kaitserolli kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas.

- Üksikkristallide kasvatamiseks kasutatav ränikarbiidiga kaetud sustseptor on väga kõrge pinnatasasusega.

- Vähendage grafiidist aluspinna ja ränikarbiidi kihi soojuspaisumisteguri erinevust, parandage tõhusalt sideme tugevust, et vältida pragunemist ja delaminatsiooni.

- Nii grafiidist substraadil kui ka ränikarbiidikihil on kõrge soojusjuhtivus ja suurepärased soojusjaotuse omadused.

- Kõrge sulamistemperatuur, kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus, korrosioonikindlus.




Kuumad sildid: SiC-kattega sustseptoritünn LPE reaktorikambri jaoks, Hiina, tootjad, tarnijad, tehas, kohandatud, lahtiselt, täiustatud, vastupidav

Seotud kategooria

Saada päring

Palun esitage oma päring allolevas vormis. Vastame teile 24 tunni jooksul.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept