SiC kate on õhuke kiht sustseptorile keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) protsessi kaudu. Ränikarbiidmaterjal pakub räni ees mitmeid eeliseid, sealhulgas 10-kordne elektrivälja tugevus, 3-kordne ribavahe, mis tagab materjali kõrge temperatuuri- ja keemilise vastupidavuse, suurepärase kulumiskindluse ja soojusjuhtivuse.
Semicorex pakub kohandatud teenust, aitab teil uuendada komponente, mis kestavad kauem, lühendavad tsükliaegu ja parandavad saagikust.
SiC-kattel on mitmeid ainulaadseid eeliseid
Vastupidavus kõrgele temperatuurile: CVD SiC-ga kaetud sustseptor talub kõrgeid temperatuure kuni 1600 °C ilma märkimisväärse termilise lagunemiseta.
Keemiline vastupidavus: ränikarbiidkate tagab suurepärase vastupidavuse paljudele kemikaalidele, sealhulgas hapetele, leelistele ja orgaanilistele lahustitele.
Kulumiskindlus: SiC-kate tagab materjalile suurepärase kulumiskindluse, muutes selle sobivaks rakendusteks, mis nõuavad suurt kulumist.
Soojusjuhtivus: CVD SiC kate tagab materjali kõrge soojusjuhtivusega, muutes selle sobivaks kasutamiseks kõrge temperatuuriga rakendustes, mis nõuavad tõhusat soojusülekannet.
Kõrge tugevus ja jäikus: ränikarbiidiga kaetud sustseptor tagab materjalile suure tugevuse ja jäikuse, muutes selle sobivaks rakendusteks, mis nõuavad suurt mehaanilist tugevust.
SiC katet kasutatakse erinevates rakendustes
LED-tootmine: CVD SiC-kattega sustseptorit kasutatakse mitmesuguste LED-tüüpide, sealhulgas sinise ja rohelise LED-i, UV-LED-i ja sügav-UV-LED-i tootmisel, kuna see on kõrge soojusjuhtivuse ja keemilise vastupidavuse tõttu.
Mobiilside: CVD SiC kaetud sustseptor on HEMT oluline osa GaN-on-SiC epitaksiaalse protsessi lõpuleviimiseks.
Pooljuhtide töötlemine: CVD SiC-ga kaetud sustseptorit kasutatakse pooljuhtide tööstuses mitmesugusteks rakendusteks, sealhulgas vahvlite töötlemiseks ja epitaksiaalseks kasvatamiseks.
SiC-kattega grafiitkomponendid
Valmistatud Silicon Carbide Coating (SiC) grafiidist, kate kantakse CVD-meetodil kõrge tihedusega grafiidi teatud klassidele, nii et see võib töötada kõrge temperatuuriga ahjus temperatuuril üle 3000 °C inertses atmosfääris ja 2200 °C vaakumis. .
Materjali erilised omadused ja väike mass võimaldavad kiiret kuumenemist, ühtlast temperatuurijaotust ja silmapaistvat juhtimistäpsust.
Semicorex SiC Coatingi materjaliandmed
Tüüpilised omadused |
Ühikud |
Väärtused |
Struktuur |
|
FCC β faas |
Orienteerumine |
murdosa (%) |
111 eelistatud |
Puistetihedus |
g/cm³ |
3.21 |
Kõvadus |
Vickersi kõvadus |
2500 |
Soojusvõimsus |
J kg-1 K-1 |
640 |
Soojuspaisumine 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Youngi moodul |
Gpa (4pt bend, 1300 ℃) |
430 |
Tera suurus |
μm |
2-10 |
Sublimatsiooni temperatuur |
℃ |
2700 |
Üleseksuaalne tugevus |
MPa (RT 4-punktiline) |
415 |
Soojusjuhtivus |
(W/mK) |
300 |
Kokkuvõte CVD SiC-ga kaetud sustseptor on komposiitmaterjal, mis ühendab sustseptori ja ränikarbiidi omadused. Sellel materjalil on ainulaadsed omadused, sealhulgas kõrge temperatuuri- ja kemikaalikindlus, suurepärane kulumiskindlus, kõrge soojusjuhtivus ning kõrge tugevus ja jäikus. Need omadused muudavad selle atraktiivseks materjaliks mitmesuguste kõrge temperatuuriga rakenduste jaoks, sealhulgas pooljuhtide töötlemine, keemiline töötlemine, kuumtöötlus, päikesepatareide tootmine ja LED-tootmine.
Suurepärase tiheduse ja soojusjuhtivusega Semicorexi vastupidav SiC-kattega silindrisusceptor on ideaalne valik kasutamiseks epitaksiaalsetes protsessides ja muudes pooljuhtide tootmise rakendustes. Selle kõrge puhtusastmega SiC-kate pakub suurepäraseid kaitse- ja soojusjaotusomadusi, muutes selle usaldusväärsete ja järjepidevate tulemuste jaoks parimaks valikuks.
Loe rohkemSaada päringKui rääkida pooljuhtide valmistamisest, on Semicorexi kõrge temperatuuriga SiC-kattega tünnsusceptor parima jõudluse ja töökindluse jaoks parim valik. Selle kvaliteetne SiC kate ja erakordne soojusjuhtivus muudavad selle ideaalseks kasutamiseks isegi kõige nõudlikumates kõrge temperatuuriga ja söövitavates keskkondades.
Loe rohkemSaada päringOma kõrge sulamistemperatuuri, oksüdatsioonikindluse ja korrosioonikindlusega on Semicorexi SiC-kattega tünnsusceptor ideaalne valik monokristallide kasvatamiseks. Selle ränikarbiidkate tagab erakordse tasasuse ja soojusjaotusomadused, tagades usaldusväärse ja ühtlase jõudluse isegi kõige nõudlikumates kõrge temperatuuriga keskkondades.
Loe rohkemSaada päringKui otsite kvaliteetset kõrge puhtusastmega SiC-ga kaetud grafiit-susceptorit, on pooljuhis SiC-kattega Semicorexi tünn-susceptor ideaalne valik. Selle erakordne soojusjuhtivus ja soojusjaotuse omadused muudavad selle ideaalseks kasutamiseks pooljuhtide tootmise rakendustes.
Loe rohkemSaada päringSuurepärase tiheduse ja soojusjuhtivusega Semicorex SiC kaetud tünnsusceptor epitaksiaalseks kasvuks on ideaalne valik kasutamiseks kõrge temperatuuriga ja söövitavas keskkonnas. Kõrge puhtusastmega SiC-ga kaetud grafiittoode pakub suurepärast kaitset ja soojusjaotust, tagades usaldusväärse ja ühtlase jõudluse pooljuhtide tootmise rakendustes.
Loe rohkemSaada päringSemicorex SiC-ga kaetud tünnsusceptor Wafer Epitaxial jaoks on tänu oma erakordselt tasasele pinnale ja kvaliteetsele SiC kattele ideaalne valik üksikute kristallide kasvatamiseks. Selle kõrge sulamistemperatuur, oksüdatsioonikindlus ja korrosioonikindlus muudavad selle ideaalseks valikuks kasutamiseks kõrgel temperatuuril ja söövitavas keskkonnas.
Loe rohkemSaada päring