Epiksiaalseks kasvatamiseks ja vahvlite töötlemiseks kasutatavad vahvlikandurid peavad taluma kõrgeid temperatuure ja tugevat keemilist puhastust. Semicorexi SiC-kattega PSS-söövituskandur, mis on loodud spetsiaalselt nende nõudlike epitaksiseadmete rakenduste jaoks. Meie toodetel on hea hinnaeelis ja need hõlmavad paljusid Euroopa ja Ameerika turge. Loodame saada teie pikaajaliseks partneriks Hiinas.
Semicorex ei tarni mitte ainult õhukese kile sadestamise faaside (nt epitaksimine või MOCVD) või vahvlite käitlemise (nt söövitamise) jaoks. Plasmasöövituse või kuivsöövituse korral allutatakse need seadmed, epitaksesusseptorid, pannkoogi- või satelliitplatvormid MOCVD jaoks esmalt sadestamiskeskkonnale, nii et sellel on kõrge kuumus- ja korrosioonikindlus. SiC-kattega PSS-söövituskandjal on ka kõrge soojusjuhtivus ja suurepärased soojusjaotuse omadused.
SiC-kattega PSS-i (mustriga safiir-substraat) söövituskandjaid kasutatakse LED-seadmete (valgusdiood) valmistamisel. PSS-i söövituskandur toimib substraadina õhukese galliumnitriidi (GaN) kile kasvatamiseks, mis moodustab LED-struktuuri. Seejärel eemaldatakse PSS-i söövituskandur LED-struktuurilt märgsöövitusprotsessi abil, jättes maha mustrilise pinna, mis suurendab LED-i valguse eraldamise efektiivsust.
SiC-kattega PSS-söövituskanduri parameetrid
CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid |
||
SiC-CVD omadused |
||
Kristalli struktuur |
FCC β faas |
|
Tihedus |
g/cm³ |
3.21 |
Kõvadus |
Vickersi kõvadus |
2500 |
Tera suurus |
μm |
2-10 |
Keemiline puhtus |
% |
99.99995 |
Soojusmahtuvus |
J·kg-1 ·K-1 |
640 |
Sublimatsiooni temperatuur |
℃ |
2700 |
Üleseksuaalne tugevus |
MPa (RT 4-punktiline) |
415 |
Youngi moodul |
Gpa (4p bend, 1300â) |
430 |
Soojuspaisumine (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Soojusjuhtivus |
(W/mK) |
300 |
Kõrge puhtusastmega SiC-kattega PSS-söövituskanduri omadused
- Nii grafiidist substraadil kui ka ränikarbiidikihil on hea tihedus ja need võivad mängida head kaitserolli kõrgel temperatuuril ja söövitavas töökeskkonnas.
- Üksikkristallide kasvatamiseks kasutatav ränikarbiidiga kaetud sustseptor on väga kõrge pinnatasasusega.
- Vähendage grafiidist aluspinna ja ränikarbiidi kihi soojuspaisumisteguri erinevust, parandage tõhusalt sideme tugevust, et vältida pragunemist ja delaminatsiooni.
- Nii grafiidist substraadil kui ka ränikarbiidikihil on kõrge soojusjuhtivus ja suurepärased soojusjaotuse omadused.
- Kõrge sulamistemperatuur, kõrge temperatuuri oksüdatsioonikindlus, korrosioonikindlus.