SiC kaetud ICP söövituskandur

Semicorex SiC kaetud ICP söövituskandur, mis on loodud spetsiaalselt kõrge kuuma- ja korrosioonikindlusega epitakseerimisseadmete jaoks Hiinas. Meie toodetel on hea hinnaeelis ja need hõlmavad paljusid Euroopa ja Ameerika turge. Loodame saada teie pikaajaliseks partneriks Hiinas.

Saada päring

Tootekirjeldus

Vahvlikandjad, mida kasutatakse õhukese kile sadestamise faasides, nagu epitaksimine või MOCVD, või vahvlite käitlemise protsessis, nagu söövitus, peavad taluma kõrgeid temperatuure ja tugevat keemilist puhastust. Semicorex tarnib kõrge puhtusastmega SiC-kattega ICP söövituskandurit, mis tagab suurepärase kuumakindluse, ühtlase termilise ühtluse, et tagada epikihi ühtlane paksus ja vastupidavus, ning vastupidav keemiline vastupidavus. Peen SiC-kristallkate tagab puhta ja sileda pinna, mis on käsitsemisel kriitilise tähtsusega, kuna puutumatud vahvlid puutuvad susseptoriga kokku paljudes kohtades kogu oma piirkonnas.

Meie SiC-kattega ICP söövituskandur on loodud parima laminaarse gaasivoolu mustri saavutamiseks, tagades soojusprofiili ühtluse. See aitab vältida saastumist või lisandite difusiooni, tagades vahvlikiibil kvaliteetse epitaksiaalse kasvu.

Võtke meiega ühendust juba täna, et saada lisateavet meie SiC-kattega ICP söövituskanduri kohta.

SiC kaetud ICP söövituskanduri parameetrid

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid
SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusvõimsus	J kg-1 K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300