Plasma söövitusplaat ICP

Semicorexi ICP plasmasöövitusplaat tagab vahvlite käitlemise ja õhukese kile sadestamise protsesside jaoks suurepärase kuuma- ja korrosioonikindluse. Meie toode on konstrueeritud taluma kõrgeid temperatuure ja tugevat keemilist puhastust, tagades vastupidavuse ja pikaealisuse. Puhta ja sileda pinnaga meie kandja sobib suurepäraselt puutumata vahvlite käsitsemiseks.

Saada päring

Tootekirjeldus

Kui rääkida õhukese kile pealekandmisest ja vahvlite käsitsemisest, usaldage Semicorexi ICP plasmasöövitusplaati. Meie toode pakub suurepärast kuuma- ja korrosioonikindlust, ühtlast termilist ühtlust ja optimaalseid laminaarseid gaasivoolu mustreid. Puhta ja sileda pinnaga meie kandja sobib suurepäraselt puutumata vahvlite käsitsemiseks.

Meie ICP plasmasöövitusplaat on loodud parima laminaarse gaasivoolu mustri saavutamiseks, tagades termilise profiili ühtluse. See aitab vältida saastumist või lisandite difusiooni, tagades vahvlikiibil kvaliteetse epitaksiaalse kasvu.

Võtke meiega ühendust juba täna, et saada lisateavet meie ICP plasmasöövitusplaadi kohta.

ICP plasmasöövitusplaadi parameetrid

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid
SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusvõimsus	J kg-1 K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300