Teame, et seadmete valmistamiseks tuleb mõnede vahvlsubstraadide peale ehitada täiendavad epitaksiaalsed kihid, tavaliselt LED-valgust kiirgavad seadmed, mis nõuavad GaAs epitaksiaalseid kihte ränisubstraatide peal; SiC epitaksiaalseid kihte kasvatatakse juhtivate SiC substraatide peale kõrgepinge, ......
Loe rohkemPooljuhtide tootmisseadmete müük kogu maailmas kasvas 5 protsenti 102,6 miljardilt dollarilt 2021. aastal kõigi aegade rekordilise 107,6 miljardi dollarini eelmisel aastal, teatas ülemaailmset elektroonika disaini ja tootmise tarneahelat esindav tööstusliit SEMI.
Loe rohkemSiC vahvli epitaksi CVD-protsess hõlmab SiC kilede sadestamist SiC substraadile, kasutades gaasifaasi reaktsiooni. SiC lähtegaasid, tavaliselt metüültriklorosilaan (MTS) ja etüleen (C2H4), juhitakse reaktsioonikambrisse, kus SiC substraati kuumutatakse kõrge temperatuurini (tavaliselt vahemikus 1400......
Loe rohkemKui praegu valitseb loid maailmamajanduse tõttu mälupooljuhtide ülepakkumine, siis autotööstuse ja tööstuslike rakenduste jaoks mõeldud analoogkiibid jäävad napiks. Nende analoogkiipide teostusaeg võib ulatuda 40 nädalani, võrreldes mäluvarude umbes 20 nädalaga.
Loe rohkem