> Uudised

Uudised

Silicon Wafer

Ränimaterjal on tahke materjal, millel on teatud pooljuhtide elektrilised omadused ja füüsiline stabiilsus ning mis pakub substraadile tuge järgnevas integraallülituse tootmisprotsessis. See on ränipõhiste integraallülituste põhimaterjal. Üle 95% pooljuhtseadmetest ja üle 90% integraallülitustest ma......

Loe rohkem

SiC-paadid vs. kvartspaadid: pooljuhtide tootmise praegune kasutus ja tulevased suundumused

See artikkel käsitleb ränikarbiidist (SiC) paatide kasutamist ja tulevast trajektoori seoses kvartspaatidega pooljuhttööstuses, keskendudes eelkõige nende rakendustele päikesepatareide tootmises.

Loe rohkem

SiC lõikamine

Ränikarbiidi (SiC) eelistatakse pooljuhtide tööstuses oma suurepäraste füüsikaliste ja keemiliste omaduste tõttu. Kuid ränikarbiidi kõrge kõvadus ja rabedus seavad selle töötlemisele märkimisväärseid väljakutseid.

Loe rohkem

Galliumnitriidi epitaksiaalsed vahvlid: sissejuhatus valmistamisprotsessi

Galliumnitriidi (GaN) epitaksiaalvahvlite kasvatamine on keeruline protsess, milles kasutatakse sageli kaheastmelist meetodit. See meetod hõlmab mitmeid kriitilisi etappe, sealhulgas kõrgel temperatuuril küpsetamine, puhverkihi kasvatamine, ümberkristalliseerimine ja lõõmutamine. Kontrollides hoolik......

Loe rohkem

Mis vahe on epitaksiaalsetel ja hajutatud vahvlitel

Nii epitaksiaalsed kui ka hajutatud vahvlid on pooljuhtide tootmisel olulised materjalid, kuid need erinevad oluliselt oma tootmisprotsesside ja sihtrakenduste poolest. Selles artiklis käsitletakse nende vahvlitüüpide peamisi erinevusi.

Loe rohkem

Ränikarbiidist substraadi põhiprotsessi voog

Ränikarbiidi substraat on liitpooljuht monokristallmaterjal, mis koosneb kahest elemendist, süsinikust ja ränist. Sellel on suur ribalaius, kõrge soojusjuhtivus, kõrge kriitiline läbilöögivälja tugevus ja kõrge elektronide küllastumise triivi kiirus.

Loe rohkem

<...8 9 10 11 12...30 >