ICP plasmasöövitusalus

Semicorexi ICP plasmasöövitusalus on loodud spetsiaalselt kõrge temperatuuriga vahvlite käitlemise protsesside jaoks, nagu epitaksia ja MOCVD. Stabiilse ja kõrge temperatuuriga kuni 1600°C oksüdatsioonikindlusega tagavad meie kandurid ühtlased termilised profiilid, laminaarsed gaasivoolumustrid ning hoiavad ära saastumise või lisandite difusiooni.

Saada päring

Tootekirjeldus

Meie ICP plasmasöövitusalus on CVD-meetodil kaetud ränikarbiidiga, mis on ideaalne lahendus vahvlite käitlemise protsesside jaoks, mis nõuavad kõrget temperatuuri ja tugevat keemilist puhastust. Semicorexi kanduritel on peen SiC kristallkate, mis tagab ühtlased termilised profiilid, laminaarse gaasivoolu mustrid ja hoiab ära saastumise või lisandite difusiooni.
Semicorexis keskendume oma klientidele kvaliteetsete ja kulutõhusate toodete pakkumisele. Meie ICP plasmasöövitusalusel on hinnaeelis ja seda eksporditakse paljudele Euroopa ja Ameerika turgudele. Meie eesmärk on olla teie pikaajaline partner, pakkudes ühtlase kvaliteediga tooteid ja erakordset klienditeenindust.
Võtke meiega ühendust juba täna, et saada lisateavet meie ICP plasmasöövitusaluse kohta.

ICP plasmasöövitusaluse parameetrid

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid
SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusvõimsus	J kg-1 K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300