ICP söövitusvahvlihoidja

Semicorexi ICP söövitusvahvlihoidja on ideaalne lahendus kõrge temperatuuriga vahvlite käitlemise protsesside jaoks, nagu epitaksimine ja MOCVD. Stabiilse ja kõrge temperatuuriga kuni 1600°C oksüdatsioonikindlusega tagavad meie kandurid ühtlased termilised profiilid, laminaarsed gaasivoolumustrid ning hoiavad ära saastumise või lisandite difusiooni.

Saada päring

Tootekirjeldus

Kas otsite oma epitaksiseadmete jaoks usaldusväärset vahvlikandjate tarnijat? Ärge vaadake kaugemale kui Semicorex. Meie ICP-söövitusvahvlihoidja on loodud spetsiaalselt kõrge temperatuuriga karmide keemiliste puhastuskeskkondade jaoks. Peene SiC-kristallkattega tagavad meie kandurid suurepärase kuumakindluse, ühtlase termilise ühtluse ja vastupidava keemilise vastupidavuse.
Meie ICP söövitusvahvlihoidja on loodud parima laminaarse gaasivoolu mustri saavutamiseks, tagades termilise profiili ühtluse. See aitab vältida saastumist või lisandite difusiooni, tagades vahvlikiibil kvaliteetse epitaksiaalse kasvu.
Võtke meiega ühendust juba täna, et saada lisateavet meie ICP söövitusvahvlihoidja kohta.

ICP söövitusvahvlihoidja parameetrid

CVD-SIC katte peamised spetsifikatsioonid
SiC-CVD omadused
Kristalli struktuur	FCC β faas
Tihedus	g/cm³	3.21
Kõvadus	Vickersi kõvadus	2500
Tera suurus	μm	2-10
Keemiline puhtus	%	99.99995
Soojusvõimsus	J kg-1 K-1	640
Sublimatsiooni temperatuur	℃	2700
Üleseksuaalne tugevus	MPa (RT 4-punktiline)	415
Youngi moodul	Gpa (4pt bend, 1300 ℃)	430
Soojuspaisumine (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Soojusjuhtivus	(W/mK)	300