> Uudised > Tööstusuudised

Tööstusuudised

GaN-kristallide kasvatamise meetod

Suuremõõtmeliste GaN monokristallsubstraatide tootmisel on HVPE praegu parim valik turustamiseks. Kasvanud GaN-i tagakandja kontsentratsiooni ei saa aga täpselt kontrollida.

Loe rohkem

GaN Single Crystal

Pooljuhttehnoloogia on olnud moodsa tsivilisatsiooni selgroog, muutes põhjalikult seda, kuidas me elame, töötame ja maailmaga suhtleme. See on võimaldanud enneolematuid edusamme erinevates valdkondades, sealhulgas infotehnoloogias, energeetikas, telekommunikatsioonis ja tervishoius. Alates mikroprot......

Loe rohkem

SiC keraamika: asendamatu materjal ülitäpsete komponentide jaoks pooljuhtide tootmises

Pooljuhtide tootmine, tänapäevase tehnoloogilise arengu nurgakivi, otsib pidevalt väiksemaid, kiiremaid ja tõhusamaid integraallülitusi. See järeleandmatu püüdlus tekitab vajaduse üha täpsemate ja keerukamate tootmisprotsesside järele, kus iga samm sõltub suuresti suure jõudlusega, kvaliteetsetest j......

Loe rohkem

Mis on grafitiseerimisaste?

Grafitiseerumisaste on oluline mõõt, mida kasutatakse selleks, et hinnata, kui lähedal on süsinikuaatomid tihedalt pakitud kuusnurkse grafiidikristallstruktuuri moodustamisele.

Loe rohkem

Õhukese kile kasvuprotsess

Levinud õhukesed kiled jagunevad peamiselt kolme kategooriasse: pooljuhtide õhukesed kiled, dielektrilised õhukesed kiled ja metallist/metalliühendist valmistatud õhukesed kiled.

Loe rohkem

3C-SiC heteroepitaksia: ülevaade

3C-SiC, ränikarbiidi oluline polütüüp, areng peegeldab pooljuhtmaterjalide teaduse pidevat arengut. 1980. aastatel Nishino jt. esmakordselt saavutati 4 μm paksune 3C-SiC kile ränisubstraadil, kasutades keemilist aurustamise sadestamist (CVD)[1], mis pani aluse 3C-SiC õhukese kile tehnoloogiale.

Loe rohkem

<...13 14 15 16 17...32 >