SiC-substraadil võib olla mikroskoopilisi defekte, nagu keermestuskruvi dislokatsioon (TSD), keermeserva dislokatsioon (TED), alustasandi dislokatsioon (BPD) ja muud. Need vead on põhjustatud kõrvalekalletest aatomite paigutuses aatomi tasandil. SiC kristallidel võivad olla ka makroskoopilised dislo......
Loe rohkemUuringutulemuste kohaselt võib TaC-kate toimida kaitse- ja isolatsioonikihina, et pikendada grafiidikomponentide eluiga, parandada radiaalset temperatuuri ühtlust, säilitada ränikarbiidi sublimatsiooni stöhhiomeetriat, pärssida lisandite migratsiooni ja vähendada energiatarbimist. Lõppkokkuvõttes ee......
Loe rohkemKeemilise aurustamise-sadestamise CVD all mõeldakse kahe või enama gaasilise tooraine viimist reaktsioonikambrisse vaakumi ja kõrge temperatuuri tingimustes, kus gaasilised toorained reageerivad üksteisega, moodustades uue materjali, mis sadestatakse vahvli pinnale.
Loe rohkem