SICOI vahvel

ME OLEMEvahvelon kolmekihilise struktuuriga komposiitpooljuhtmaterjal, mis on valmistatud ainulaadsel meetodil.

SICOI vahvli struktuuri alumine kiht on ränisubstraat, mis pakub usaldusväärset mehaanilist tuge, et tagada SICOI vahvli struktuurne stabiilsus. Selle optimaalne soojusjuhtivus vähendab soojuse akumuleerumise mõju pooljuhtseadmete jõudlusele, võimaldades neil pikka aega normaalselt töötada ka suure võimsusega. Lisaks ühildub ränisubstraat praegu pooljuhtide tootmises kasutatavate seadmete ja masinatega. See vähendab edukalt tootmiskulusid ja keerukust, kiirendades samal ajal toodete uurimis- ja arendustegevust ning masstootmist.

Ränisubstraadi ja SiC seadme kihi vahel asuv isoleeriv oksiidikiht on SICOI vahvli keskmine kiht. Isoleerides vooluteed ülemise ja alumise kihi vahel, vähendab isoleeriv oksiidikiht tõhusalt lühiste ohtu ja tagab pooljuhtseadmete stabiilse elektrilise jõudluse. Tänu oma madalale neeldumisomadusele võib see oluliselt vähendada optilist hajumist ja parandada pooljuhtseadmete optilise signaali edastamise efektiivsust.

Silicon Carbide seadme kiht on SICOI vahvli struktuuri põhiline funktsionaalne kiht. See on erakordse mehaanilise tugevuse, kõrge murdumisnäitaja, väikese optilise kadu ja märkimisväärse soojusjuhtivusega suure jõudlusega elektrooniliste, fotooniliste ja kvantfunktsioonide saavutamiseks hädavajalik.

SICOI vahvlite rakendused:

1. Mittelineaarse optilise seadme, näiteks optilise sagedusega kammi tootmiseks.

2. Integreeritud fotoonkiipide tootmiseks.

3. Elektro-optilise modulaatori tootmiseks

4. Toiteelektroonikaseadmete, näiteks toitelülitite ja RF-seadmete tootmiseks.

5. MEMS-anduri, näiteks kiirendusmõõturi ja güroskoopi tootmiseks.