Silicon On Isolator Wafer

Silicon On Insulator vahvli struktuur koosneb kolmest põhikihist. Pealmine kiht on õhuke ühekristallilise räni kile, mille paksus on tavaliselt mõnest nanomeetrist mõne mikromeetrini. See õhuke ränikiht toimib aktiivse piirkonnana, kus on ehitatud transistorid ja muud elektroonilised komponendid.

Õhukese ränikihi all on isoleermaterjali kiht. See isoleerkiht toimib barjäärina, takistades elektrilaengute voolu õhukese ränikihi ja aluskihi vahel.

Alumine kiht on substraat, mis on ühekristallilise räni paksem kiht. See pakub vahvlile mehaanilist tuge ja toimib ka jahutusradiaatorina tekkinud soojuse hajutamiseks.

Silicon On Insulator vahvli tootmisprotsess hõlmab erinevaid tehnikaid, sealhulgas vahvlite sidumise ja kihtide ülekandmise meetodeid. Need tehnikad võimaldavad luua isolatsioonikihi peale kvaliteetse õhukese ränikihi.

Silicon On Insulator vahvel on muutunud pooljuhtide tööstuses üha olulisemaks, eriti mikroprotsessorite, mäluseadmete, raadiosagedusahelate ja kiirete sidesüsteemide tootmisel. Nende ainulaadne struktuur ja eelised muudavad need eelistatud valikuks täiustatud elektrooniliste rakenduste jaoks, aidates kaasa kiiremate ja tõhusamate seadmete loomisele erinevates valdkondades.