Poorne grafiiditiigel

Poorne grafiiditiigel mängib kriitilist rolli ränikarbiidi (SiC) monokristallide kasvu protsessis, mis on pooljuhtide valmistamise oluline samm. See spetsiaalne tiigel on loodud taluma äärmuslikke temperatuure ja karmi keemilist keskkonda, muutes selle ideaalseks mahutiks kõrgel temperatuuril toimuvateks reaktsioonideks, mis on seotud SiC kristallide kasvuga.

Tiigel on tavaliselt valmistatud kõrge puhtusastmega grafiitmaterjalist, mis on tuntud oma suurepärase soojusjuhtivuse, keemilise inertsuse ja mehaanilise tugevuse poolest. Mõiste "poorne" viitab grafiidis läbilaskva struktuuri tahtlikule loomisele, mis võimaldab gaaside ja vedelike kontrollitud voolu kristallide kasvuprotsessi ajal.

SiC monokristallide kasvuprotsess hõlmab räni ja süsiniku lähtematerjalide sublimeerimist kõrge temperatuuriga ahjus. Poorne grafiiditiigel toimib nende lähtematerjalide konteinerina, pakkudes kristallide kasvuks stabiilset ja kontrollitud keskkonda. Selle poorne struktuur võimaldab tõhusalt transportida lähtegaase ja hõlbustab kasvuprotsessi käigus tekkivate kõrvalsaaduste eemaldamist.

Tiigli võime säilitada stabiilsust ja taluda ekstreemseid tingimusi on oluline kvaliteetsete SiC monokristallide saamiseks, mis on pooljuhtseadmete tootmise lahutamatud osad. Tiigli poorsus aitab optimeerida gaasivoolu ja soojusjaotust, aidates kaasa suurte ja kvaliteetsete SiC kristallide ühtlasele kasvule.