Mis on SOI

Silicon-on-insulator (SOI) on tunnistatud üheks lahenduseks olemasolevate monokristalliliste ränimaterjalide asendamiseks nanotehnoloogia ajastul ja see on peamine vahend Moore'i seaduse suundumuse säilitamiseks. Silicon-on-insulator, substraaditehnoloogia, mis asendab traditsioonilise puistesubstraaträni "konstrueeritud" substraadiga, on kasutatud rohkem kui 30 aastat spetsiaalsetes rakendustes, nagu sõjalised ja kosmoseelektroonikasüsteemid, kus SOI-l on ainulaadsed eelised tänu oma suurepärasele omadusele. kiirguskindlus ja suure kiiruse omadused.

SOI materjalid on SOI tehnoloogia arendamise vundament ja SOI tehnoloogia areng sõltub SOI materjalide pidevast edenemisest. Odavate ja kvaliteetsete SOI-materjalide puudumine on olnud SOI-tehnoloogia peamiseks piiranguks suuremahulisele tööstuslikule tootmisele. Viimastel aastatel, koos SOI materjali ettevalmistamise tehnoloogia küpsusega, on järk-järgult lahendatud materjaliprobleem, mis piirab SOI tehnoloogia arengut, mis hõlmab lõpuks kahte tüüpi SOI materjali ettevalmistamise tehnoloogiat, nimelt Speration-by-oxygen implantation (SIMOX) ja liimimistehnoloogia. Liimimistehnoloogia hõlmab traditsioonilist Bond and Etch back (BESOI) tehnoloogiat ja Smart-cut tehnoloogiat, mis ühendab vesinikioonide sissepritse ja sidumise, mille on välja pakkunud Prantsusmaal SOITECi üks asutajaid M. Bruel, samuti Simbond SOI materjali ettevalmistamise kombinatsiooni. hapnikuisolatsiooni ja sidumise pakkus välja dr Meng Chen 2005. aastal. Uus tehnoloogia ühendab hapniku sissepritse isolatsiooni ja sidumise.