Räni karbiidi vahvli paat

Iga vahvli tootmise kõrge temperatuuriga protsessi taga peitub vaikne, kuid samas ülioluline mängija: vahvlipaat. Kuna vahvli töötlemise ajal silikooni vahvliga otse ühendust võtab, on selle materjal, stabiilsus ja puhtus otseselt seotud kiibi lõpliku saagikuse ja protsessi stabiilsusega. Erinevate kandjamaterjalide hulgas,Ränikarbiid (sic)Paadid asendavad järk-järgult traditsioonilisi kvartsilahendusi, saades täiustatud protsesside ja tipptasemel seadmete eelistatavaks lahenduseks.

Miks sic vahvlid paadid?

Protsessisõlmede edenemisega alla 7nm ja kõrgtemperatuuriliste protsessiakende laienemisega on traditsioonilised kvartspaadid üha enam hädas termilise stabiilsuse, osakeste kontrolli ja eluea juhtimise osas.

Ränikarbiidi vahvlipaadid saavad aga järk -järgult esiletõstmise järgmiste eeliste tõttu:

1. Täistuv kõrgetel temperatuuridel:

Nad pakuvad pikaajalist töötemperatuuri 1350-1600 ° C, hõlpsasti käitledes tavaprotsesse nagu CVD, difusioon ja lõõmutamine. Isegi lühike kokkupuude temperatuuridega 1800 ° C ei näita pehmenemist ega deformatsiooni, muutes need sobivaks kõrgema hinnaga seadmetele, näiteks üksikkristallide räni karbooniahjudele.

2.LOW laienemine ja kõrge termiline šoki stabiilsus:

Madala soojuspaisumise koefitsiendiga taluvad kiiret temperatuuri tõusu ja langust, minimeerides soojuspinge põhjustatud struktuurilist pragunemist. Need säilitavad suurepärast morfoloogiat ja jõudlust kõrgtemperatuuril, keerulistes atmosfäärides (näiteks vesinik, lämmastik, ammoniaak ja fluoriidid).

3. Cleane pind ja äärmiselt madal saastumine:

Kõrge materiaalne puhtus minimaalsete metalli lisanditega. Madal pinna karedus, takistades räni vahvlite sekundaarset saastumist; Suurepärane pinnakareduskontroll, mille RA on alla 0,1 μm, surub osakeste valamist ja vastab edasijõudnute protsesside puhaste ruumide nõuetele;

4. Üheosaline vormimine, täpsusega töödeldud vahvlipaadi konstruktsioonid saab otse moodustada hallitusteta3D -printimine, välistades hallituse vajaduse, parandades märkimisväärselt kohandamise tõhusust; Kombineerituna viieteljeliste töötlemise ja traadilõikamise tehnoloogiaga on paadi hambad uimased, takistades vahvlite kriimustusi ja tagades sujuva automatiseeritud käitlemise;

5. Kõrge tugevus ja pikk eluiga: 

Üksik paadiga on suur koormus kandev tugevus ja suudab samaaegselt toetada kümneid 12-tolliseid vahvleid. Võrreldes traditsiooniliste kvartsilaevadega on paadi keskmine eluiga 5-10 korda pikem, vähendades seadmete ülemineku sagedust ja omandiõiguse kogukulusid.

Rakenduse stsenaarium

Laialdane kohanemisvõimeräni karbiidi vahvlid paadidLaiendab nende rakendamist kaugemale pooljuhtide valdkonnast mitmesugustele kõrgtemperatuuriliste protsessistsenaariumidele, sealhulgas uutele energiamaterjalidele, LED-tootmisele ja tuumaenergia uuringutele.

Pooljuhtide tööstus

See sobib selliste võtmeprotsesside jaoks nagu oksüdeerimine, difusioon, CVD sadestumine ja ioonide implanteerimine, muutes selle hädavajalikuks kõrge temperatuuriga kandjaks alam-7NM protsessiliinide jaoks.

Fotogalvaaniline tööstus

Sellistes tekkivates akutehnoloogiates nagu Topcon ja HJT kasutatakse vahvlipaate kõrgete temperatuuridega ahjuprotsessides, näiteks LPCVD ja lõõmutamine, aidates parandada energiatõhusust ja ümberarvestuskiirust.

Kolmanda põlvkonna pooljuhid

GAN ja SIC epitaksiaalse kasvuprotsesside puhul toetavad nad safiiri või räni karbiidi substraate. Nad taluvad söövitavaid gaase nagu NH₃ ja HCL, toetades kõrgsageduslike energiaseadmete tootmist.

Uued energiamaterjalid ja uurimistöö kõrgtemperatuuriplatvorm

Toetab liitiumaku katoodmaterjalide paagutamist ja tuumatööstuse materjalide kuumtöötlust, ühendades soojustakistuse, korrosioonikindluse ja puhtuse.

Semicorex pakub suure puhkeolekuKohandatud sic vahvlid paadid. Kui teil on päringuid või kui vajate lisateavet, ärge kartke meiega ühendust võtta.

Kontakti telefon # +86-13567891907

E -post: sales@semicorex.com