Horisontaalne SiC vahvlipaat

Semicorex Horizontal SiC Wafer Boat'i iseloomulik tunnus on selle hoolikalt kujundatud piludega arhitektuur, mis on spetsiaalselt kohandatud hoidma vahvleid kindlalt paigal mitmesuguste kõrge temperatuuriga protsesside ajal. See täpne vahvlipiirang täidab mitmeid olulisi funktsioone:

Vahvli liikumise kõrvaldamine:Vältides soovimatut libisemist või nihkumist, tagab Horisontaalne SiC Wafer Boat pideva kokkupuute protsessigaaside ja temperatuuriprofiilidega, aidates kaasa vahvlite väga ühtlasele töötlemisele ja minimeerides defektide riski.

Protsessi täiustatud ühtsus:Vahvlite järjekindel positsioneerimine tähendab kriitiliste parameetrite, nagu kihi paksus, dopingukontsentratsioonid ja pinnamorfoloogia, ülimat ühtlust. See täpsus on eriti oluline selliste rakenduste puhul nagu keemiline aurustamine-sadestamine (CVD) ja difusioon, kus isegi väikesed kõikumised võivad seadme jõudlust oluliselt mõjutada.

Vähendatud vahvlikahjustused:Horisontaalse SiC vahvlipaadi turvaline hoidmine minimeerib vahvlite purunemise, purunemise või kriimustamise võimalust käsitsemise ja transportimise ajal, mis on oluline suure saagise säilitamiseks ja tootmiskulude vähendamiseks.

Lisaks täppisdisainile pakub Horizontal SiC Wafer Boat veenvat materjali omaduste kombinatsiooni, mis muudab selle ideaalseks pooljuhtide ja fotogalvaaniliste elementide tootmiseks:

Äärmuslik temperatuuritaluvus: Horisontaalne SiC Wafer Boat omab erakordset tugevust ja stabiilsust kõrgel temperatuuril, võimaldades sellel ilma deformatsiooni või lagunemiseta taluda äärmuslikke termilisi tingimusi, mis ilmnevad selliste protsesside käigus nagu kristallide kasv, lõõmutamine ja kiire termiline töötlemine (RTP).

Ülikõrge puhtusastmega saastetõrje:Kõrge puhtusastmega SiC kasutamine tagab minimaalse väljavoolu või tahkete osakeste tekke, kaitstes tundlike vahvlipindade terviklikkust ja hoides ära saastumise, mis võib seadme jõudlust kahjustada.

Erakordne keemiline stabiilsus:SiC-le omane inertsus muudab horisontaalse ränikarbiidi vahvlipaadi väga vastupidavaks pooljuhtide ja fotogalvaaniliste elementide valmistamisel tavaliselt kasutatavate söövitavate gaaside ja kemikaalide rünnakutele. See tugev keemiline stabiilsus tagab pika tööea ja minimeerib protsesside vahelise ristsaastumise riski.

Horisontaalse SiC Wafer Boat'i mitmekülgsuse ja jõudluse eelised on viinud selle laialdase kasutuselevõtuni paljudes kriitilistes pooljuhtide ja fotogalvaaniliste tootmisprotsessides:

Epitaksiaalne kasv:Täpne vahvli positsioneerimine ja temperatuuri ühtlus on üliolulised kõrgekvaliteediliste epitaksiaalsete kihtide saavutamiseks täiustatud pooljuhtseadmetes, mistõttu on horisontaalne ränikarbiidivahvel selle protsessi jaoks oluline tööriist.

Difusioon ja ioonide implantatsioon:Täpne dopingukontroll on pooljuhtseadmete elektriliste omaduste määratlemisel ülimalt oluline. Horisontaalne SiC Wafer Boat tagab vahvlite täpse positsioneerimise nende protsesside ajal, mis parandab ühtlust ja seadme jõudlust.

Päikesepatareide tootmine:Horisontaalse SiC Wafer Boat'i kõrge temperatuuri võime ja keemiline vastupidavus muudavad selle ideaalseks fotogalvaanilistes elementides kasutatavate räniplaatide töötlemiseks, aidates kaasa päikeseenergiasüsteemide tõhususe ja pikaealisuse suurenemisele.