Keraamilised elektrostaatilised padrunid

Keraamilised elektrostaatilised padrunidon täppiskomponendid, mis kasutavad elektroodide ja vahvlite vahel tekkivat elektrostaatilist välja vahvlite kinnitamiseks ja kinnitamiseks. Neid kasutatakse laialdaselt sellistes valdkondades nagu pooljuhid, lameekraanekraanid ja optika ning need on tipptasemel seadmete, nagu PVD-seadmed, söövitusmasinad ja iooniimplantaatorid, põhikomponendid.

Võrreldes traditsiooniliste mehaaniliste padrunite ja vaakumpadrunitega on keraamilistel elektrostaatilistel padrunidel pooljuhtide tootmise valdkonnas palju eeliseid. See keraamiline elektrostaatiline padrun kasutab vahvlite tasandamiseks ja ühtlaselt pinnal hoidmiseks staatilist elektrit. See ühtlane adsorptsioonijõud võib hoida adsorbeeritud objekti suhteliselt lamedana, vältidesvahvelväänamine või deformatsioon, mille võivad põhjustada traditsioonilised mehaanilised padrunid võivaakumpadrunidja tagades, et vahvel säilitab ülitäpsete pooljuhtprotsesside jaoks sobiva töötlemise täpsuse.

Mõnel keraamilisel elektrostaatilisel padrunil on integreeritud soojendusfunktsioonid, mis suudavad täpselt reguleerida vahvli temperatuuri tagasipuhumisgaasi või sisemiste kütteelektroodide kaudu, kohaneda erinevate protsesside rangete temperatuurinõuetega ja parandada töötlemise stabiilsust.

Mõnel keraamilisel elektrostaatilisel padrunil on integreeritud soojendusfunktsioonid, mis suudavad täpselt reguleerida vahvli temperatuuri tagasipuhumisgaasi või sisemiste kütteelektroodide kaudu, kohaneda erinevate protsesside rangete temperatuurinõuetega ja parandada töötlemise stabiilsust.

Keraamilised elektrostaatilised padrunid pakuvad laialdast ühilduvust. Need võivad mahutada erineva suuruse ja materjaliga vahvleid, sealhulgas räni, galliumarseniidi ja ränikarbiidi, mis vastavad erinevatele pooljuhtide tootmise vajadustele.

Need võivad töötada stabiilselt kõrgvaakumkeskkondades, nagu ioonide implanteerimine ja CVD, ületades traditsiooniliste vaakumpadrunite piirangud, mis ei suuda vaakumkeskkonnas vahvleid absorbeerida, ning täidavad suurepäraselt ioonide implanteerimise, keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) ja muude pooljuhtide tootmise protsesside nõudeid.