Vastuvõtja plaat

Kõrge puhtusastmega grafiidist valmistatud ja MOCVD tehnikat kasutades kaetud ränikarbiidi (SiC) kihiga Semicorex Susceptor Disc ühendab erakordsed termilised omadused märkimisväärse keemilise stabiilsusega. Ränikarbiidkate tagab suurepärase vastupidavuse kõrgetele temperatuuridele ja söövitavatele tingimustele, mis on ülioluline Susceptor Disci terviklikkuse säilitamiseks rasketes keskkondades.

Lisaks suurendab Susceptor Disc'i SiC kate selle soojusjuhtivust, mis võimaldab kiiret ja ühtlast soojusjaotust, mis on järjekindla epitaksiaalse kasvu jaoks kriitiline. See neelab ja kiirgab tõhusalt soojust, tagades stabiilse ühtlase temperatuuri, mis on oluline õhukeste kilede ladestamiseks. See ühtsus on ülioluline kvaliteetsete epitaksiaalsete kihtide saavutamiseks, mis on täiustatud pooljuhtseadmete funktsionaalsuse ja jõudluse jaoks üliolulised.

Susceptor Disci disain käsitleb ka soojuspaisumise väljakutset. Selle minimaalne soojuspaisumistegur tagab tugeva sideme epitaksiaalsete kihtidega, vähendades termilise tsükli tõttu pragunemise ohtu. See funktsioon koos Susceptor Disci kõrge sulamistemperatuuri ja suurepärase oksüdatsioonikindlusega võimaldab usaldusväärset tööd ekstreemsetes tingimustes.

Nende täiustatud omadustega Susceptor Disc mitte ainult ei vasta, vaid ületab tänapäevaste MOCVD rakenduste rangeid nõudeid, pakkudes usaldusväärset ja suure jõudlusega lahendust, mis suurendab epitaksiaalse kasvuprotsessi üldist tõhusust ja väljundit.