Hiina Ränikarbiid (SiC) Tootjad, tarnijad, tehas

Ränikarbiidkeraamika (SiC) on täiustatud keraamiline materjal, mis sisaldab räni ja süsinikku. Ränikarbiidi terad saab paagutamise teel omavahel siduda, moodustades väga kõva keraamika. Semicorex tarnib kohandatud ränikarbiidist keraamikat vastavalt teie vajadustele.

Rakendused

Ränikarbiidkeraamika puhul jäävad materjali omadused konstantseks kuni temperatuurini üle 1400°C. Suur Youngi moodul > 400 GPa tagab suurepärase mõõtmete stabiilsuse.

Ränikarbiidi komponentide tüüpiline rakendus on dünaamiline tihendustehnoloogia, mis kasutab hõõrdlaagreid ja mehaanilisi tihendeid, näiteks pumpades ja ajamisüsteemides.

● Teljehülss  →

● Puks  →    

● Mehaaniline tihend  →

Täiustatud omadustega ränikarbiidist keraamika sobib ideaalselt kasutamiseks ka pooljuhtide tööstuses.

● Vahvlikandja  →  

● Vahvlipaat  →  

Vahvlipaadid →
Semicorex Wafer Boat on valmistatud paagutatud ränikarbiidkeraamikast, millel on hea korrosioonikindlus ja suurepärane vastupidavus kõrgetele temperatuuridele ja termilisele šokile. Täiustatud keraamika tagab suurepärase soojustakistuse ja plasma vastupidavuse, vähendades samal ajal suure võimsusega vahvlikandjate osakesi ja saasteaineid.

Reaktsiooniga paagutatud ränikarbiid

Võrreldes teiste paagutamisprotsessidega on tihendamisprotsessi ajal tekkiva reaktsioonipaagutamise suuruse muutus väike ja saab valmistada täpsete mõõtmetega tooteid. Kuid suure koguse SiC olemasolu paagutatud kehas halvendab reaktsiooniga paagutatud SiC keraamika kõrge temperatuuri jõudlust.

Survevaba paagutatud ränikarbiid

Survevaba paagutatud ränikarbiid (SSiC) on eriti kerge ja samal ajal kõva suure jõudlusega keraamika. SSiC iseloomustab kõrge tugevus, mis jääb peaaegu konstantseks isegi äärmuslikel temperatuuridel.

Ümberkristalliline ränikarbiid

Ümberkristallitud ränikarbiid (RSiC) on järgmise põlvkonna materjalid, mis saadakse kõrge puhtusastmega ränikarbiidi jämeda pulbri ja kõrge aktiivsusega ränikarbiidi peene pulbri segamisel ning pärast vuukimist vaakumpaagutamisel temperatuuril 2450 °C ümberkristallimiseks.