GaN Epitaxy kandja

Semicorex GaN Epitaxy Carrier sobib suurepäraselt vahvlite turvaliseks transportimiseks ahjus, samas kui see on konstrueeritud vahvlite epitaksiaalsete protsesside jaoks. GaN Epitaxy Carrier on ülioluline kõrgekvaliteediliste reprodutseeritavate õhukeste kilede ja epitaksiaalsete kihtide saamiseks, mis on vajalikud täiustatud elektrooniliste ja optoelektrooniliste seadmete tootmiseks.

GaN Epitaxy Carrieri grafiidist substraat on täiustatud kaasaegse keemilise aurustamise-sadestamise (CVD) ränikarbiidi (SiC) kattega. Seda SiC kihti kantakse hoolikalt peale keemilise aurustamise teel, pakkudes tugevat kaitset keemiliste reaktsioonide ja kulumise eest epitaksiprotsessi ajal. Lisaks parandab GaN Epitaxy Carrieri SiC kate kandja termilisi omadusi, hõlbustades vahvlite tõhusat ja ühtlast kuumutamist. Selline ühtlane kuumutamine on pooljuhtplaatidele järjepidevate ja kvaliteetsete epitaksiaalsete kihtide tootmiseks ülioluline.

Semicorex GaN Epitaxy Carrier, mida saab kohandada erinevate suurustega pooljuhtplaatidele, on mitmekülgne lahendus erinevate tootmisvajaduste jaoks. Olenemata sellest, kas on vaja konkreetseid suurusi, kujundeid või katte paksust, teeb meie meeskond koostööd klientidega, et töötada välja lahendus, mis vastab nende täpsetele spetsifikatsioonidele ja optimeerib jõudlust nende ainulaadsete rakenduste jaoks.