Epi-SiC retseptor

Semicorex Epi-SiC Susceptor, mis ühendab kõrge temperatuuri, keemilise inertsuse ja suurepärase termilise difusiooni, on vastupidavuse ja tõhususe musternäidis intensiivsetes tingimustes, mis on sünonüümid epitaksiaalse kasvu püüdlustele. SiC katte pealekandmine suurendab oluliselt Epi-SiC Susceptori termilisi omadusi. See täiustus hõlbustab ühtlast soojusjaotust, mis on oluline vahvlite kuumutamiseks, mis on keskse tähtsusega järjepidevate kvaliteetsete epitaksiaalsete kihtide ladestamiseks pooljuhtplaatidele.

Epi-SiC Susceptor, mis on kohandatud vastama vahvlite epitaksiaalsete protsesside nõudmistele, toetab vahvlite sujuvat transporti ahjukeskkonnas. Selle tugev konstruktsioon kaitseb vahvli nihkumise või kompromissi eest, vähendades seeläbi kahjustuste esinemist epitaksiaalse kihi arengu kriitilistes etappides. Lisaks toimib Epi-SiC Susceptor kaitsva barjäärina allolevale grafiidist substraadile, kaitstes seda keemiliste vastasmõjude ja hõõrdumise eest, mida epitaksiaalsed protsessid võivad esile kutsuda.

Elastse grafiidist südamiku ja kaitsva SiC kattega liitmine mitte ainult ei tugevda Epi-SiC Susceptori jõudlusnäitajaid, vaid pikendab oluliselt ka selle kasutusiga. Tulemuseks on investeering, mis toob pooljuhtide tootmisettevõtetele dividende püsiva operatiivsäästu kujul, mis muudab Epi-SiC Susceptori mõistlikuks valikuks neile, kes soovivad oma tootmistoiminguid optimeerida.