Semicorex CVD keemilise aurustamise-sadestamise ahjud muudavad kvaliteetse epitaksi valmistamise tõhusamaks. Pakume eritellimusel ahjulahendusi. Meie CVD Chemical Vapor Deposition ahjudel on hea hinnaeelis ja need katavad enamiku Euroopa ja Ameerika turust. Loodame saada teie pikaajaliseks partneriks Hiinas.
Semicorex CVD keemilise aurustamise-sadestamise ahjusid, mis on mõeldud CVD ja CVI jaoks, kasutatakse materjalide sadestamiseks aluspinnale. Reaktsioonitemperatuur kuni 2200 °C. Massivoolu regulaatorid ja moduleerivad ventiilid koordineerivad reaktiiv- ja kandegaase nagu N, H, Ar, CO2, metaan, ränitetrakloriid, metüültriklorosilaan ja ammoniaak. Sadestatud materjalide hulka kuuluvad ränikarbiid, pürolüütiline süsinik, boornitriid, tsinkseleniid ja tsinksulfiid. CVD keemilise aurustamise-sadestamise ahjudel on nii horisontaalsed kui ka vertikaalsed struktuurid.
Rakendus:SiC kate C/C komposiitmaterjalile, SiC kate grafiidile, SiC, BN ja ZrC kate kiududele jne.
Semicorex CVD keemilise aurustamise-sadestamise ahjude omadused
1.Kvaliteetsetest materjalidest valmistatud vastupidav disain pikaajaliseks kasutamiseks;
2.Täpselt juhitud gaasi tarnimine massivoolu regulaatorite ja kvaliteetsete ventiilide abil;
3. Varustatud turvaelementidega, nagu ülekuumenemise kaitse ja gaasilekke tuvastamine, et tagada ohutu ja usaldusväärne töö;
4. Mitme temperatuuri reguleerimise tsooni kasutamine, suurepärane temperatuuri ühtlus;
5. Spetsiaalselt disainitud sadestuskamber, millel on hea tihendus ja suurepärane saastevastane jõudlus;
6. Kasutades mitut sadestuskanalit ühtlase gaasivooluga, ilma sadestamise surnud nurkade ja täiusliku sadestuspinnata;
7. Sellel on sadestamise protsessi käigus tõrva, tahke tolmu ja orgaaniliste gaaside töötlemine
CVD ahju spetsifikatsioonid |
|||||
Mudel |
Töötsooni suurus (L × K × P) mm |
Max Temperatuur (°C) |
Temperatuur Ühtlikkus (°C) |
Ülim vaakum (Pa) |
Rõhu suurenemise kiirus (Pa/h) |
LFH-6900-SiC |
600 × 600 × 900 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-10015-SiC |
1000 × 1000 × 1500 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1220-SiC |
1200 × 1200 × 2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-1530-SiC |
1500 × 1500 × 3000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFH-2535-SiC |
2500 × 2000 × 3500 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D3050-SiC |
300 × 500 |
1500 |
±5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D6080-SiC |
600 × 800 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D8120-SiC |
800 × 1200 |
1500 |
±7,5 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D11-SiC |
1100 × 2000 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
LFV-D26-SiC |
2600 × 3200 |
1500 |
±10 |
1-100 |
0.67 |
* Ülaltoodud parameetreid saab kohandada vastavalt protsessi nõuetele, need ei ole aktsepteerimisstandardid, detaili spetsifikatsioon. märgitakse tehnilises pakkumises ja lepingutes.