Alumiiniumnitriidi substraadid

Semicorexi alumiiniumnitriidi substraatide määratlused osutavad ränipõhistele alumiiniumnitriidimallidele. 5G ajastu avanedes saavad kõrgsageduslikud rakendused kiiresti hoogu. 5G -võrkude laiendamine ja arendamine suurendavad nõudmisi üha sagedasemate ribade jaoks koos kõrgemate töösagedustega. Laine on proportsionaalselt tõstatanud nii raadiosagedusfiltrite koguse kui ka kvaliteedi nõudeid. Suure jõudlusega raadiosagedusfiltri töötleva tööstuse lubamine on piesoelektriliste substraadimaterjalide jaoks oluline nõue, millel on kõrge kvaliteet.

Ülimalt lai ribalaua pooljuhtide alumiiniumnitriidisubstraadid on tohutu rakenduspotentsiaali materjal paljude silmapaistvate omaduste tõttu kui potentsiaalne materjal elektroonika ja optoelektroonika arenenud kasutamiseks. Kuni 6,2 eV ribalapp näitab tugevuse vajadust kõrge välja lagunemise, kõrge küllastusega elektronide triivi kiiruse, keemilise ja termilise stabiilsuse korral. samuti parem soojusjuhtivus ja kiirguskindlus. Need omadused muudavad ALN-i asendamatu materjali suure jõudlusega elektroonikaseadmetes, eriti 5G kommunikatsioonitehnoloogiates.

Võrreldes traditsiooniliste piesoelektriliste materjalidega nagu tsinkoksiid (ZnO), plii tsirkoonaatitanaadi (PZT) ja liitiumtantalaadi/liitium -niobaadi (LT/LN), näitavad alumiiniumnitriidi substraadid erakordseid omadusi, mis muudavad nad 5G RF -filtrite jaoks väga sobivaks. Need omadused hõlmavad kõrget elektrikindlust, suurepärast soojusjuhtivust, paremat stabiilsust ja ülikiire akustilise laine levimiskiirust. Täpsemalt, ALN -i pikisuunaline laine kiirus ulatub umbes 11 000 m/s, samas kui põiki laine kiirus on umbes 6000 m/s. Need omadused positsioneerivad Aln kui üks ideaalseimaid piesoelektrilisi materjale kõrgsurve pinna akustiliste lainete (SAW), puiste akustiliste lainete (BAW) ja kile hulga akustiliste resonaatori (FBAR) raadiosagedusfiltrite jaoks.

Alumiiniumnitriidisubstraadid on peamiselt mõeldud piesoelektrilise materjali turu jaoks 5G RF esiotsa filtrites. Selle toote kvaliteedi ja võtmeparameetreid on rangelt testinud ja kontrollitud autoriteetsete kolmandate osapoolte asutuste ja vahvli taseme töötlemise hindamise abil. Need hinnangud on kinnitanud, et toode vastab ja ületab isegi rahvusvahelisi standardeid. Lisaks on juba loodud suuremahuliseks tootmiseks vajalik tehnoloogia, mis tagab stabiilse masstootmise ja pakkumise turu nõudmiste rahuldamiseks.

5G võrkude juurutamine nõuab ülitõhusate ja usaldusväärsete raadiosagedusfiltrite kasutamist sagedusribade arvu suurenemiseks. ALN-i substraadid mängivad kriitilist rolli SAW, BAW ja FBAR-filtrite valmistamisel, mis on RF-i esiosa moodulites olulised komponendid. Need filtrid võimaldavad täpset sageduse valimist, signaali amplifikatsiooni ja häirete vähendamist, tagades sujuva ja kiire andmeedastuse 5G kommunikatsiooniseadmetes, näiteks nutitelefonid, tugijaamad ja Interneti-rakendused.

Lisaks ei piirdu alumiiniumnitriidisubstraadid ainult RF -filtritega. Neil on ka paljutõotavaid rakendusi elektrienergia, kõrgsageduslike transistoride, optoelektrooniliste seadmete ja satelliitide osas. Nende võime taluda kõrgeid pingeid ja töötada ekstreemsetes tingimustes, muudab need atraktiivseks valikuks järgmise põlvkonna elektrooniliste komponentide jaoks.